日媒報導，記憶體晶片製造商鎧俠（Kioxia）據傳計劃明年開始在岩手縣的晶圓廠生產新一代的NAND快閃記憶體晶片，希望大幅提升長期資料儲存容量，滿足AI資料中心龐大的運算需求。
日經新聞報導，鎧俠岩手廠將以所謂「第十代」技術量產。將堆疊記憶體層數從第八代的218層拉高到332層，每單位面積儲存容量提升59%，資料傳輸速度提高33%，還能降低耗電。
外界原先推測，鎧俠可能會在負責研發的三重縣四日市的晶圓廠量產新晶片。但多位知情人士向日經透露，量產地點將改在岩手縣北上市的晶圓廠。
鎧俠並未規劃擴建，而是使用園區內9月剛開始運轉的晶圓二廠量產。據報導，鎧俠采雙軌策略路線：一方面推出高效能、但投資成本低的產品；另一方面則推出層數更多、容量更大的大型產品。 $(document).ready(function () {nstockStoryStockInfo();});