南韩三星电子初步财报显示，上季获利大增208%，优于预期。主要因为全球对人工智慧（AI）伺服器的需求激增，带动记忆体价格飙高。
根据三星公布的上季初步财报，去年第4季（10至12月）营业利益为20兆韩元（138亿美元），优于分析师预估平均值17.8兆韩元。营收成长23%至93兆韩元。三星本月稍后将公告净利、各部门细节等完整财报。
三星股价在去年已翻倍，本月又再度大涨，这反映了在竞争同业美光（Micron Technology）提出乐观财测后，市场对三星强劲季报的期待。光是在过去一周内，彭博资讯追踪的分析师当中，就有超过10人调高了三星的目标价。
三星等记忆体制造商因为将产能从日常的消费电子科技产品，转移到利润更高的资料中心用高阶晶片，去满足辉达（Nvidia）等AI巨人的大型资料中心记忆体需求，导致用于笔电和伺服器的记忆体严重短缺，DRAM和NAND快闪记忆体价格双双猛涨。
CLSA证券韩国公司研究主管拉纳表示，上季DRAM的平均售价较去年第3季上涨30% 以上，而NAND的售价则上涨约20%。他说，今年全年，甚至到明年上半年，DRAM价格都可能持续强劲，之后也应该不会看到价格有太大修正，「因为需求实在太强，而供应非常吃紧」。
本周在CES消费电子展上，三星高层强调了记忆体供应短缺的严重程度。总裁李元镇说，消费电子产品的价格已经在调涨，「半导体供应将会有问题」。
根据Counterpoint Research的预测，用于电脑和伺服器的最新一代传统DRAM也就是DDR5，在本季的价格将又再比前一季上涨40%，接著在第2季还会再涨20%。
三星在高频宽记忆体（HBM）领域一直落后于SK海力士和美光，终于在去年把先进产品HBM4样本送交辉达进行验证测试。市场对此燃起希望，认为三星有望缩小与对手的差距，力拚在今年上半年开始量产，以支援辉达即将推出的Rubin处理器。CLSA的拉纳预期，随著HBM4进入商业供货，三星今年的HBM总出货量将增加两倍。 $(document).ready(function () {nstockStoryStockInfo();});